Poháněno kritickými aplikacemi, širokým rozpětím polovodičových aplikací

Když polovodičový průmysl postupně vstupuje do post-Mooreovy éry,polovodiče se širokým pásmemjsou na historické scéně, která je považována za důležitou oblast „výměnného předjíždění“. Očekává se, že v roce 2024 budou polovodičové materiály se širokým pásmem, reprezentované SiC a GaN, nadále používány ve scénářích, jako jsou komunikace, nová energetická vozidla, vysokorychlostní železnice, satelitní komunikace, letectví a další scénáře. použitý. Trh aplikací dosahuje rychle.

Maximální trh aplikací pro zařízení z karbidu křemíku (SiC) je v nových energetických vozidlech a očekává se, že otevře desítky miliard trhů. Konečný výkon křemíkové základny je lepší než křemíkový substrát, který může splnit požadavky aplikace za podmínek, jako je vysoká teplota, vysoké napětí, vysoká frekvence, vysoký výkon. Současný substrát z karbidu křemíku byl použit v radiofrekvenčních zařízeních (jako je 5G, národní obrana atd.) a a anárodní obrana, atd.Napájecí zařízení(jako je nová energie atd.). A v roce 2024 bude SIC rozšiřovat výrobu. Výrobci IDM jako Wolfspeed, BOSCH, ROHM, INFINEON a TOSHIBA oznámili, že urychlili svou expanzi. Předpokládá se, že produkce SiC v roce 2024 vzroste nejméně 3krát.

Nitridová (GaN) elektrická elektronika byla aplikována v měřítku v oblasti rychlého nabíjení. Dále potřebuje dále zlepšovat pracovní napětí a spolehlivost, pokračovat ve vývoji vysoké hustoty výkonu, vysokofrekvenčních a vysokých integračních směrů a dále rozšiřovat pole použití. Konkrétně použitíspotřební elektronika, automobilové aplikace, datová centra, aprůmyslovýaelektrická vozidlase bude i nadále zvyšovat, což podpoří růst odvětví GaN o více než 6 miliard USD.

Komercializace oxidace (Ga₂O₃) se blíží, zejména v oblastechelektrická vozidla, systémy elektrické sítě, letectví a kosmonautikya další obory. Ve srovnání s předchozími dvěma může být příprava monokrystalu Ga203 dokončena metodou růstu tání podobnou jako monokrystal křemíku, takže má velký potenciál snížení nákladů. Současně v posledních letech udělaly Schottkyho diody a krystalové trubky na bázi oxidových materiálů průlomový pokrok z hlediska konstrukčního návrhu a procesu. Existují důvody se domnívat, že první várka diodových produktů SCHOTTKY bude uvedena na trh v roce 2024.